杭州电子科技大学2016年自命题科目考试大纲(半导体物理)
来源:杭州电子科技大学 阅读:870 次 日期:2015-09-21 14:33:46
温馨提示:易贤网小编为您整理了“杭州电子科技大学2016年自命题科目考试大纲(半导体物理)”,方便广大网友查阅!

在线网校:>>>点击进入<<<

考试书库:>>>点击进入<<<

网校以及考试书库开发及拥有课件范围涉及公务员/财会类/学历类/建筑工程类

等9大类考试的在线网络培训辅导和全新引进高清3D电子书考试用书。

考试科目名称:半导体物理

科目代码:846

一、物理基础

1.晶体中原子的结合。

2.晶体结构与对称性。

3.常见晶体结构。

4.晶格振动与声子。

5.光学声子与声学声子。

二、半导体材料的能带结构

1.能带的形成。

2.导带、价带、禁带及禁带宽度。

3.材料的导电性能与能带结构的关系。

4.直接带隙与间接带隙。

5.导带电子与价带空穴,载流子。

6.电子与空穴的有效质量。

7.施主与受主,类氢原子近似。

8.P型、N型和本征半导体材料的特点。

9.杂质对半导体导电性能的影响。

三、半导体材料的电学性能

1.外场下半导体材料中载流子的运动形式。

2.半导体材料的迁移率与电导率。

3.半导体材料的电学性能随温度的变化。

4.半导体材料的电学性能随杂质浓度的变化。

5.半导体材料的光电导与非平衡载流子。

6.半导体材料的霍尔效应。

7.半导体材料的热电现象。

四、半导体器件

1.PN结的结构与电学性能,I-V曲线。

2.MOS器件的结构、工作原理及电学性能特点。

3.双极型三极管的结构、工作原理及电学性能特点

4.发光二极管的工作原理。

5.太阳能电池的工作原理。

6.半导体温度传感器的工作原理。

五、半导体材料分析测试技术

1.半导体材料禁带宽度的测量方法。

2.半导体材料中杂质电离能的测量。

3.半导体材料载流子浓度的测量方法。

4.半导体材料电阻率的测量。

5.半导体材料中载流子迁移率的测量方法。

6.半导体材料中少数载流子寿命的测量方法。

参考书目:《半导体物理》(第1版),季振国编,浙江大学出版社,2005.9

更多信息请查看学历考试网

由于各方面情况的不断调整与变化,易贤网提供的所有考试信息和咨询回复仅供参考,敬请考生以权威部门公布的正式信息和咨询为准!
关于我们 | 联系我们 | 人才招聘 | 网站声明 | 网站帮助 | 非正式的简要咨询 | 简要咨询须知 | 加入群交流 | 手机站点 | 投诉建议
工业和信息化部备案号:滇ICP备2023014141号-1 云南省教育厅备案号:云教ICP备0901021 滇公网安备53010202001879号 人力资源服务许可证:(云)人服证字(2023)第0102001523号
云南网警备案专用图标
联系电话:0871-65317125(9:00—18:00) 获取招聘考试信息及咨询关注公众号:hfpxwx
咨询QQ:526150442(9:00—18:00)版权所有:易贤网
云南网警报警专用图标